2dsemiconductors Ta2NiS5 晶體(ti) 簡介
激子絕緣體(ti) 是表現出相關(guan) 電子相的新型材料係統。當激子結合能 (Eb) 大於(yu) 帶隙 (Eg) 時，激子會(hui) 凝聚到其基態。半導體(ti) 中的激子凝聚通過 Bose-Einstein 凝聚過程發生，而半金屬中的凝聚通過 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) 過程發生。正交傳(chuan) 導（電子）和價(jia) （空穴）帶之間的庫侖(lun) 引力引起的自發帶雜化打開帶隙並驅動係統進入絕緣狀態
分子式： Ta2NiS5
Ta2NiS5 是一種窄帶隙半導體(ti) (Eg~0.39 eV)，具有可疑的激子絕緣體(ti) 行為(wei) ，如在其姊妹化合物TA2NISE5中觀察到的。激子絕緣體(ti) 是表現出相關(guan) 電子相的新型材料係統。當激子結合能 (Eb) 大於(yu) 帶隙 (Eg) 時，激子會(hui) 凝聚到其基態。半導體(ti) 中的激子凝聚通過 Bose-Einstein 凝聚過程發生，而半金屬中的凝聚通過 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) 過程發生。正交傳(chuan) 導（電子）和價(jia) （空穴）帶之間的庫侖(lun) 引力引起的自發帶雜化打開帶隙並驅動係統進入絕緣狀態
Ta2NiS5 晶體(ti) 的性質
Ta2NiS5晶體(ti) 的原子結構
Ta2NiS5 晶體(ti) 的拉曼光譜
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